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ZEISS Crossbeam 540；Helios G4 ...
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99.4%对测试结果满意
聚焦离子束扫描电镜（FIB制样/FIB+SEM/FIB+TEM/FIB+球差）
99.4%
满意度
仪器型号：
ZEISS Crossbeam 540；Helios G4 PFIB HXe；Helios 600i
预约次数：
50次
服务周期：
收到样品后平均3.0-9.0工作日
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项目简介
FIB是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器。通常使用液相金属离子源（如镓）产生离子束，离子束经过加速和聚焦后照射到样品表面，与样品相互作用，产生二次电子信号，从而获得电子图像,主要实现以下几个功能：
（1）TEM制样：为了获取材料的高分辨率内部结构信息。TEM需要极薄的样品（通常在几十纳米以下），以便电子束能够穿透样品，从而观察材料的原子级别结构，常用于半导体、陶瓷、电池、金属合金的切割。
（2）球差制样：可以提供更高的空间分辨率和更低的球差，从而获得更清晰的原子级别图像，常用于半导体、陶瓷、电池、金属合金的切割。
（3）剖面分析：通过对材料进行截面切割和观察，了解材料的内部结构、成分分布以及界面特性，主要应用于电池、金属、复合材料等。
样品要求
样品要求
1、无挥发性，固体、块体长宽最好小于20mm，高度小于5mm。
2、样品要求导电性良好，如果导电性比较差的话需要进行喷金或喷碳处理。
3、透射样品制备只保证切出的样品厚度可以拍透射。
结果展示
上图是FIB制备TEM样品的示例图，图 a 是陶瓷类样品，图 b 是金属合金类样品，图 c 是半导体类样品，图 d 是电池类样品。
上图是样品经过FIB后进行剖面分析的示例图，图 a 是镍锰酸锂，图 b 是锰酸锂，图 c 是天然石墨，图 d 是钴酸锂。
上图是FIB三维重构的基本过程，先将待研究的样品切一个block，然后将截面层层切下，并且每切一层都用SEM获取该层的二次电子图像，最后通过软件将得到的二维图像堆叠起来，通过算法对样品进行重构。最终获得样品内部的微观结构和组成。
常见问题
提问
1. fib切的透射薄片有孔或者部分脱落有影响吗？
回答
切样的目的是为了减薄样品，一些材质减薄后会出现部分脱落，穿孔的情况，属于正常现象。样品有薄区，不影响透射拍摄即可，比如离子减薄制样就是要在材料上穿一个孔。
提问
2. W和Pt保护层有什么区别吗？更适合哪种样品有关联？
回答
FIB沉积的 W 比 Pt有较低的阻值，W的扩散范围会比Pt小；但是沉积速率比较慢，需花费较长时间。
提问
3. FIB切片最小能切多小，最大能切多大的范围？
回答
一般没有限制，但样品尺寸最好不要超过仪器大样品仓的尺寸，否则时间会相对比较长。
提问
4. FIB制样可能引入什么杂质？
回答
Pt和Ga，其中Pt是为了保护减薄区域，Ga是离子源。如果样品不导电可能喷Au或者喷Cr，从而引入这两种元素。
